| 分析测试报告 |
不同C2H2流量的ta-C硬度图 |
hardness，different C2H2 flows |
新型带有反向正脉冲的高功率脉冲磁控溅射技术开发高硬度无氢四面体非晶碳涂层-课题2(2) |
2024-02-22 |
| 分析测试报告 |
不同硅含量的ta-C薄膜拉曼光谱及高斯拟合 |
Raman，different Si content |
新型带有反向正脉冲的高功率脉冲磁控溅射技术开发高硬度无氢四面体非晶碳涂层-课题2(2) |
2024-02-22 |
| 分析测试报告 |
不同硅含量的ta-C纳米压痕图 |
nanoindentation,different Si content |
新型带有反向正脉冲的高功率脉冲磁控溅射技术开发高硬度无氢四面体非晶碳涂层-课题2(2) |
2024-02-22 |
| 分析测试报告 |
0%含量Si的ta-C薄膜的C1s分峰拟合图 |
XPS,0% Si,C1s |
新型带有反向正脉冲的高功率脉冲磁控溅射技术开发高硬度无氢四面体非晶碳涂层-课题2(2) |
2024-02-22 |
| 分析测试报告 |
不同钛含量的ta-C薄膜拉曼光谱及高斯拟合 |
Raman，different Ti content |
新型带有反向正脉冲的高功率脉冲磁控溅射技术开发高硬度无氢四面体非晶碳涂层-课题2(2) |
2024-02-22 |
| 分析测试报告 |
45sccm 流量C2H2ta-C薄膜的C1s分峰拟合图 |
XPS,45 sccmC2H2,C1s |
新型带有反向正脉冲的高功率脉冲磁控溅射技术开发高硬度无氢四面体非晶碳涂层-课题2(2) |
2024-02-22 |
| 分析测试报告 |
15sccm 流量C2H2ta-C薄膜的C1s分峰拟合图 |
XPS,15 sccmC2H2,C1s |
新型带有反向正脉冲的高功率脉冲磁控溅射技术开发高硬度无氢四面体非晶碳涂层-课题2(2) |
2024-02-22 |
| 分析测试报告 |
不同C2H2流量的ta-C薄膜拉曼光谱及高斯拟合 |
Raman，different C2H2 flows |
新型带有反向正脉冲的高功率脉冲磁控溅射技术开发高硬度无氢四面体非晶碳涂层-课题2(2) |
2024-02-22 |
| 分析测试报告 |
不同C2H2流量的ta-C纳米压痕图 |
ta-C nanoindentation of different C2H2 flow rates |
新型带有反向正脉冲的高功率脉冲磁控溅射技术开发高硬度无氢四面体非晶碳涂层-课题2(2) |
2024-02-22 |
| 分析测试报告 |
不同硅含量的ta-C硬度图 |
hardness，different Si content |
新型带有反向正脉冲的高功率脉冲磁控溅射技术开发高硬度无氢四面体非晶碳涂层-课题2(2) |
2024-02-22 |
