分析测试报告 |
80℃不同C靶功率沉积ta-C-4h |
ta-C-4h was deposited at 80℃ at different C-target powers |
新型带有反向正脉冲的高功率脉冲磁控溅射技术开发高硬度无氢四面体非晶碳涂层-课题2(1) |
2024-02-22 |
分析测试报告 |
不同频率沉积ta-C-5h |
ta-C-5h production data were deposited at different frequencies |
新型带有反向正脉冲的高功率脉冲磁控溅射技术开发高硬度无氢四面体非晶碳涂层-课题2(1) |
2024-02-22 |
分析测试报告 |
2h-不同气流量沉积ta-C |
2h- Deposition of ta-C production data at different gas flows |
新型带有反向正脉冲的高功率脉冲磁控溅射技术开发高硬度无氢四面体非晶碳涂层-课题2(1) |
2024-02-22 |
分析测试报告 |
90℃不同C靶功率沉积ta-C 4h |
90℃ at different C-target powers |
新型带有反向正脉冲的高功率脉冲磁控溅射技术开发高硬度无氢四面体非晶碳涂层-课题2(1) |
2024-02-22 |
分析测试报告 |
3h-不同气流量沉积ta-C |
3h- Deposition of ta-C production data at different gas flows |
新型带有反向正脉冲的高功率脉冲磁控溅射技术开发高硬度无氢四面体非晶碳涂层-课题2(1) |
2024-02-22 |
分析测试报告 |
4h-不同气流量沉积ta-C |
4h- Deposition of ta-C production data at different gas flows |
新型带有反向正脉冲的高功率脉冲磁控溅射技术开发高硬度无氢四面体非晶碳涂层-课题2(1) |
2024-02-22 |
分析测试报告 |
不同偏压的ta-C沉积速率图 |
Deposition rate,bias |
新型带有反向正脉冲的高功率脉冲磁控溅射技术开发高硬度无氢四面体非晶碳涂层-课题2(1) |
2024-02-22 |
分析测试报告 |
不同频率的ta-C沉积速率图 |
Deposition rate,frequency |
新型带有反向正脉冲的高功率脉冲磁控溅射技术开发高硬度无氢四面体非晶碳涂层-课题2(1) |
2024-02-22 |
分析测试报告 |
偏压-150V的ta-C划痕数据图数据图-C沉积速率图 |
nanoscratch,-150V |
新型带有反向正脉冲的高功率脉冲磁控溅射技术开发高硬度无氢四面体非晶碳涂层-课题2(1) |
2024-02-22 |
分析测试报告 |
4h-不同气体含量沉积a-C-H |
4h,different gas content |
新型带有反向正脉冲的高功率脉冲磁控溅射技术开发高硬度无氢四面体非晶碳涂层-课题2(1) |
2024-02-22 |